P-i-n фотодиод на основе кремния ФД342-02 группа А

Фотодиод предназначен для применения в качестве высокочувствительного быстродействующего приемника инфракрасного излучения в составе оптико-электронной аппаратуры различного назначения.

Описание

Фотодиод состоит из пластины высокоомного кремния с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Наименование Значение
Количество фоточувствительных элементов (ФЧЭ) 1
Диаметр ФЧЭ, мм 14
Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,4 – 1,1
Токовая монохроматическая чувствительность на длине волны 0,9 мкм, А/Вт, не менее 0,35
Темновой ток, мкА, не более 7
Емкость фотодиода, пФ, не более 150
Рабочее напряжение, В 20
Длительность импульса, нс 100